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TSM10N06CP ROG /
TSM10N06CP ROG的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

FET 类型:N 沟道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时):10A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值):10.5nC @ 4.5V

Vgs(最大值):±20V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值):1100pF @ 30V

功率耗散(最大值):45W(Tc)

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值):65 毫欧 @ 10A,10V

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

供应商器件封装:TO-252,(D-Pak)

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商TSM10N06CP ROG
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